|
Λεπτομέρειες:
|
| Τύπος επιχείρησης: | αποθήκευση και εμπορικές συναλλαγές | τεχνολογία επεξεργασίας: | Ελασματοποιημένος εν ψυχρώ |
|---|---|---|---|
| Βαθμός: | Τύπος Β καισίου Astm A653 | Επιφάνεια: | Καυτός που βυθίζεται |
| Πρότυπα: | ΤΟ EN ASTM AISI ΜΒ DIN JIS | Πάχος: | 0.5 - 3.0mm |
| πλάτος: | 1000mm - 1500mm | μήκος: | 2000mm 2438mm ή όπως απαιτείται |
| Υψηλό φως: | θερμώ γαλβανισμένο ρόλοι χάλυβα,γαλβανισμένο φύλλο χάλυβα στη σπείρα |
||
| Όνομα προϊόντων | Γαλβανισμένη σπείρα χάλυβα |
| Υλικό | CGCC, DX51D, Q195, Q235 |
| Βαθμός | SGCC, DX51D+Z |
| Επίστρωμα ψευδάργυρου | 40-120g/m2 |
| Πάχος | 0.3-2.0 χιλ. |
| Πλάτος | 600-1250 χιλ. |
| Δομή επιφάνειας | Μίνι/μεγάλη πούλια |
| Επεξεργασία επιφάνειας | Εκτύπωση αντι-δάχτυλων, Chromated, που λαδώνεται μη-λαδωμένος |
| Συσκευασία | τυποποιημένη συσκευασία εξαγωγής (η λεπτομερής εικόνα είναι η ακόλουθη) |
| Σκληρότητα | μαλακός (κανονικός), σκληρός, σύνολο σκληρό (G300-G550) |
| Κώδικας HS | 721049 |
| Χώρα προέλευσης | Κίνα |
| Επιχειρησιακός τύπος | Προμηθευτής και κατασκευαστής |
Η γαλβανισμένη σπείρα καυτής εμβύθισης που παράγεται από τη JIN LAI, είναι ντυμένη με τον ψευδάργυρο που χρησιμοποιεί μια συνεχή και ελεγχόμενη διαδικασία. Ο σφιχτός μεταλλουργικός δεσμός μεταξύ του χάλυβα και του επιστρώματος πραγματοποιείται σε μια συνεχή γαλβανίζοντας γραμμή. Αυτή η διαδικασία οδηγεί σε ένα υλικό με τη δύναμη και τη σχηματιστικότητα του χάλυβα και με την προστασία διάβρωσης που παρέχεται από τον ψευδάργυρο. Το επίστρωμα ψευδάργυρου προστατεύει το βασικό μέταλλο από τα εξωτερικά διαβρωτικά στοιχεία με δύο κύριους τρόπους, με τη δράση ως (1) φυσικό εμπόδιο και (2) θυσιαστική άνοδος.
Ανοχή στο ονομαστικό πάχος για το γαλβανισμένο χάλυβα
| Πάχος (χιλ.) | ASTM | ½ ASTM |
| 0,18 – 0,40 | ± 0,040 | ± 0,020 |
| 0,401 – 1,00 | ± 0,050 | ± 0,025 |
| 1.01 – 1,50 | ± 0,065 | ± 0,033 |
| 1.51 – 2,00 | ± 0,075 | ± 0,038 |
Σημείωση: Οι περιορισμένες σειρές μετρητών και οι προσαρμοσμένες ανοχές πάχους μπορούν να προσφερθούν κατόπιν αιτήσεως.
Προδιαγραφές των σπειρών χάλυβα Glvanized/φύλλο
| Μέγεθος | Παλτό ψευδάργυρου | Υλικό |
| 0.25*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.25*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.3*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.35*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.4*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.5*1000*C | 80 | S280GD+Z |
| 0.5*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.58*1000*C | 80 | S350GD+Z |
| 0.6*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.7*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.75*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.8*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.8*1000*C | 80 | DX53D+Z |
| 0.85*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.9*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.98*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.95*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.0*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.1*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.2*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.2*1050*C | 150 | CSB |
| 1.4*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| Μέγεθος | Παλτό ψευδάργυρου | Υλικό |
| 1.5*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.55*1000*C | 180 | S280GD+Z |
| 1.55*1000*C | 180 | S350GD+Z |
| 1.6*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.8*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.9*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.95*1000*C | 180 | S350GD |
| 1.98*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.95*1000*C | 180 | S320GD+Z |
| 1.95*1000*C | 180 | S280GD+Z |
| 1.95*1000*C | 275 | S350GD+Z |
| 2.0*1000*C | 80 | DX51D+Z |
| Μέγεθος | Παλτό ψευδάργυρου | Υλικό |
| 0.36*1250*C | 80 | |
| 0.4*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.42*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.45*1250*C | 225 | S280GD+Z |
| 0.47*1250*C | 225 | S280GD+Z |
| 0.5*1250*C | 80 | SGCC |
| 0.55*1250*C | 180 | S280GD+Z |
| 0.55*1250*C | 225 | S280GD+Z |
| 0.6*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.65*1250*C | 180 | DX51D+Z |
| 0.7*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.7*1250*C | 80 | SGCC |
| 0.75*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.8*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.9*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 0.95*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| Μέγεθος | Παλτό ψευδάργυρου | Υλικό |
| 1.0*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.15*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.1*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.2*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.35*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.4*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.5*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.55*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.6*1250*C | 120 | SGCC |
| 1.6*1250*C | 80 | DX51D+Z |
| 1.8*1250*C | 80 | DX51D+Z |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Gao Ben
Τηλ.:: +86-18068357371
Φαξ: 86-0510-88680060
